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產(chǎn)品介紹：
SiC的物理和電學屬性使其成為短波長光電、高溫、耐輻射、高功率/高頻率電子器件的首選半導體材料。然而生長優(yōu)質的SiC單晶非常困難，其中第一要素就取決于SiC晶種的品質。晶種的類型、表面性質和吸附變化極大地影響著SiC晶體的生長類型、缺陷結構以及電學性質等等。
合能陽光提供的SiC晶種，可充分滿足不同需求的客戶，優(yōu)質的晶種品質為客戶SiC長晶的成品率與晶片質量提供了可靠的保障。
物理性質：
標準參數(shù)：
完全可以根據(jù)客戶需求提供不同品質的晶種。Micropipe密度，標準控制在30/cm2以內(nèi)，高品質可以控制在5/cm2以內(nèi)。
典型客戶：
美國，歐洲，亞洲及國內(nèi)SiC襯底企業(yè)。
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